प्रा.पंकज घाटे का शोध हुआ पेटेंट, आक्साइड की सूक्ष्मतम संरचना बनाने की प्रकिया खोज निकाली

डिजिटल डेस्क,  चुन्नीलाल कुड़वे, चंद्रपुर। चिमूर तहसील के नेहरू कनिष्ठ महाविद्यालय के भौतिक शास्त्र विभाग में कार्यरत प्रा.पंकज घाटे के शोध को भारत सरकार का पेटंट प्राप्त हुआ है। ए प्रोसेस फॉर सिंथेसीस ऑफ ऑक्साइड नैनोस्ट्रकचर मटेरियल विषय पर उन्होंने शोध कर इंटेलेक्चुअल प्रापर्टी इंडिया को पेश किया था। 20 मार्च 2023 को उन्हें पेटेंट नंबर 425881 देकर प्रमाणित किया गया। रोजमर्रा की जिंदगी में उपयोगी इलेक्ट्रॉनिक वस्तुओं में ऑक्साइड का उपयोग होता है तथा उसकी सुक्ष्म संरचना का उपकरण की गुणवत्ता पर परिणाम होता है।

ऑक्साइड की सुक्ष्मतम रूप में संरचना तैयार करने की प्रक्रिया खोज निकालने से अब कई उपकरणों की गुणवत्ता में वृद्धि होने में मदद मिलेगी, जिसमें एलएडी बल्ब, सुपर कैपॅसिटर, इंधन बचाने वाले उपकरण आदि का समावेश है।

यह संशोधन कार्य लक्ष्मीनारायण इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी नागपुर के पदार्थ विज्ञान प्रमुख डॉ. प्रा. विजय पावडे व राष्ट्रसंत तुकड़ोजी महाराज नागपुर विश्वविद्यालय के भौतिकशास्त्र विभाग प्रमुख डॉ. प्रा. संजय ढोबले के मार्गदर्शन में पूर्ण कर उन्होंने भौतिक शास्त्र विषय की पदार्थ की दस का घातीय माइनस नौ इतने सुक्ष्म संरचना का यानी (नैनोस्ट्रकचर) पदार्थ बनाने की विधि खोज निकालने में सफलता पाई है। नेहरू कनिष्ठ महाविद्यालय के प्राचार्य घनशाम कढव, उपप्राचार्य निशिकांत मेहरकुरे, पर्यवेक्षक उमरे, मिलमीले ने उनका आभार जताया है।

20 साल के लिए हुआ पेटेंट 
प्रा. पंकज घाटे, नेहरू कनिष्ठ महाविद्यालय के मुताबिक इस प्रकिया को खोजने का कार्य 2020 में शुरू किया था। इसमें मेरे मार्गदर्शकों का मौलिक मार्गदर्शन व सहकार्य मिला। यह पद्धति न केवल आसान व सस्ती है बल्कि इलेक्ट्रॉनिक उद्योग में नई क्रांति की ओर अग्रसर है। यह शोध पेटंट 20 साल के लिए प्राप्त हुआ है।